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2ED2108S06F 是一款高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動器，具有獨立的高壓側(cè)和低壓側(cè)參考輸出通道。

產(chǎn)品屬性

驅(qū)動配置 半橋  

通道類型 同步  

驅(qū)動器數(shù)量 1  

柵極類型 IGBT、N 溝道 MOSFET  

電壓 - 電源 10V ~ 20V  

邏輯電壓 - VIL、VIH 1.1V、1.7V  

電流 - 峰值輸出（源極，匯流排） 290mA，700mA  

輸入類型 非反相  

高壓側(cè)電壓 - 最大值（自啟動）650 V  

上升/下降時間（典型值） 100ns，35ns  

工作溫度 -40°C ~ 125°C (TA)  

安裝類型 表面貼裝  

封裝/外殼 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米寬）  

供應(yīng)商器件封裝 PG-DSO-8-53

產(chǎn)品特性

獨特的英飛凌薄膜硅絕緣體 (SOI) 技術(shù)

負(fù) VS 瞬態(tài)抗擾度為 100 V

為自舉操作而設(shè)計的浮動通道 工作電壓（VS 節(jié)點）高達(dá) + 650 V

最大自舉電壓（VB 節(jié)點）達(dá) + 675 V

集成超快、低電阻自舉二極管

VS 引腳上的邏輯工作電壓高達(dá) -11 V

輸入端負(fù)壓容差為 -5 V

雙通道獨立欠壓鎖定

帶滯后的施密特觸發(fā)器輸入

兼容 3.3 V、5 V 和 15 V 輸入邏輯

最大電源電壓為 25 V

DSO-8 和 DSO-14 雙封裝選項

高、低電壓引腳分離，以獲得最大的爬電空間和間隙

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