商品名稱:IGI60F2020A1L
數(shù)據(jù)手冊:IGI60F2020A1L.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:28-PowerTQFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IGI60F2020A1L采用半橋功率級,由兩個 200 m? (typ. Rdson) / 600 V 增強模式 CoolGaNTM HEMT 和專用柵極驅(qū)動器組成,采用 8 x 8 mm QFN-28 小型封裝。因此,在中低功率領(lǐng)域,它非常適合支持設(shè)計高密度 AC/DC充電器和適配器的設(shè)計。英飛凌的 CoolGaNTM 和相關(guān)功率開關(guān)具有非常堅固的柵極結(jié)構(gòu)。當由持續(xù)在 "導通 "狀態(tài)下,當柵極電流為幾毫安時,始終能保證最小導通電阻 Rdson。
產(chǎn)品屬性
輸出配置:半橋(3)
應(yīng)用:DC 電機,DC-DC 轉(zhuǎn)換器
負載類型:電感,電容性,電阻
技術(shù):NMOS,PMOS
導通電阻(典型值):200 毫歐 LS,200 毫歐 HS
電流 - 輸出/通道:5A
電流 - 峰值輸出:14.1A
電壓 - 供電:3V ~ 3.5V
電壓 - 負載:5.5V ~ 12V
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:28-PowerTQFN
供應(yīng)商器件封裝:PG-TIQFN-28-1
應(yīng)用
● 充電器和適配器
● 服務(wù)器、電信和網(wǎng)絡(luò)SMPS
● 低功耗電機驅(qū)動器
● LED照明
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導通電阻符合標準的開關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實現(xiàn)靈活設(shè)計。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應(yīng)用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實現(xiàn)靈活設(shè)計…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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