商品名稱:IMZA120R007M1H
數(shù)據(jù)手冊(cè):IMZA120R007M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
IMZA120R007M1H采用TO247-4封裝的1200V 7mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進(jìn)的溝槽工藝,該工藝經(jīng)過(guò)優(yōu)化兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢(shì),例如1200 V開(kāi)關(guān)器件中最低的柵極電荷和器件電容、體二極管沒(méi)有反向恢復(fù)損耗、關(guān)斷損耗受溫度影響小以及沒(méi)有拐點(diǎn)電壓的導(dǎo)通特性。因此,CoolSiC?碳化硅 MOSFET非常適用于硬開(kāi)關(guān)和諧振開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如功率因素校正(PFC)電路、雙向拓?fù)湟约癉C-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。
英飛凌推出的、采用TO247-4封裝的SiC MOSFET 可降低柵極電路上的源極寄生電感效應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度和更高的效率。
產(chǎn)品屬性
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù): SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss): 1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :225A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V,18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 9.9 毫歐 @ 108A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 5.2V @ 47mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 220 nC @ 18 V
Vgs(最大值): +20V,-5V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 9170 nF @ 25 V
功率耗散(最大值): 750W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型: 通孔
供應(yīng)商器件封裝: PG-TO247-4-8
封裝/外殼: TO-247-4
應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源(UPS)
電池化成
電動(dòng)汽車(chē)快速充電
電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC? 汽車(chē)級(jí) MOSFET 750 V G2,采用 Q-DPAK 頂部冷卻封裝,16 mΩ
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC? 汽車(chē)級(jí) MOSFET 750 V G2,采用 Q-DPAK 頂部冷卻封裝,25 mΩ
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC? 汽車(chē)級(jí) MOSFET 750 V G2,采用 Q-DPAK 頂部冷卻封裝,60 mΩ
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BTS5016SDA
BTS5016SDA 是一款采用 PG-TO252-5-11 封裝的單通道高側(cè)功率開(kāi)關(guān),內(nèi)置保護(hù)功能。BSZ440N10NS3G
BSZ440N10NS3G 是英飛凌推出的 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 3 系列,采用 PG-TSDSON-8封裝,該器件專(zhuān)為高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì),具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)能力和高可靠性等特點(diǎn)。BSZ440N10NS3G產(chǎn)品特性低導(dǎo)通電阻:RDS(on) 低至 1.1 毫歐,顯著降低功…BTS5210L
BTS5210L是英飛凌推出的 PROFET?(Protected FET)智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān),屬于多通道功率開(kāi)關(guān)IC,專(zhuān)為 汽車(chē)電子、工業(yè)控制及電源管理 等應(yīng)用設(shè)計(jì)。BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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