商品名稱:TDA21570AUMA1
數(shù)據(jù)手冊:TDA21570AUMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-IQFN-39
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
TDA21570AUMA1 集成電源級包含一個低靜態(tài)電流同步降壓柵極驅(qū)動器 IC,該 IC 與控制和同步 MOSFET 以及有源二極管結構共同封裝,可實現(xiàn)類似于肖特基的低 Vsd,且反向恢復電荷極少。該封裝針對 PCB 布局、傳熱、驅(qū)動器/MOSFET 控制時序進行了優(yōu)化,在遵循布局準則的情況下,可將開關節(jié)點振鈴降至最低。成對的柵極驅(qū)動器和 MOSFET 組合可在較低的輸出電壓下實現(xiàn)更高的效率,滿足尖端 CPU、GPU 和 DDR 的要求。
特點
● 集成驅(qū)動器、有源二極管、控制 MOSFET Q1 和同步 MOSFET Q2
● 片上 MOSFET 電流檢測和報告速度為 5 μA/A。
● 輸入電壓 (VIN) 范圍為 4.25 V 至 16 V
● VCC 和 VDRV 供電電壓為 4.25 V 至 5.5 V
● VIN = 12 V 時,輸出電壓范圍為 0.225 V 至 5.5 V
● 輸出電流能力為 70 A
● 工作頻率高達 1.5 MHz
● 增強型故障報告和識別
● VDRV 欠壓鎖定 (UVLO)
● 啟動欠壓保護
● 8mV /°C 溫度模擬輸出
● 過溫保護和熱關斷
● 逐周期過流保護 (OCP) 和標記
● 控制 MOSFET 短路 (HSS) 檢測和標記
● 自舉電容器自動補電
● 兼容 3.3 V 三態(tài) PWM 輸入
● 支持 Body-Braking? 瞬態(tài)負載
● 深度休眠模式,通過 EN= 低電平(32 μA typ)實現(xiàn)省電
● 小型 5 mm x 6 mm x 0.9 mm PQFN 封裝
● 符合 RoHS 規(guī)范的無鉛封裝
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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