STPSC12065GY 650V肖特基碳化硅二極管是一款超高性能功率肖特基二極管。該器件采用寬帶隙材料,可以設計具有650V額定電壓的肖特基二極管結構。得益于肖特基結構,在關閉時不會顯示恢復,且振鈴模式可以忽略不計。即使是最輕微的電容式關斷特性也不受溫度影響。這些器件特別適用于PFC應用,它們可以提高硬開關條件下的性能。高正向浪涌能力確保在瞬態(tài)階段具有良好的穩(wěn)健性。
產品屬性
技術:SiC(Silicon Carbide)Schottky
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
電流 - 平均整流 (Io):12A
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.45 V @ 12 A
速度:無恢復時間 > 500mA(Io)
反向恢復時間 (trr):0 ns
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:50 μA @ 600 V
不同 Vr、F 時電容:750pF @ 0V,1MHz
等級:汽車級
資質:AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:TO-263-3,D2PAK(2 引線 + 凸片),TO-263AB
供應商器件封裝:D2PAK
工作溫度 - 結:-40°C ~ 175°C
應用
● 車載充電器
型號
品牌
封裝
數量
描述
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STM32C091KCU6
STM32C091KCU6是一款基于ARM Cortex-M0+內核的32位微控制器(MCU),主要應用于需要高性能和低功耗的嵌入式系統(tǒng)設計?。其性能參數和應用如下:性能參數核心處理器:ARM Cortex-M0+內核規(guī)格:32-位速度:48MHz連接能力:I2C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART外設:掉電檢測…STM32C091KCT6
STM32C091KCT6是一款基于ARM Cortex-M0+內核的32位微控制器(MCU),工作頻率為48MHz?,具有256KB的閃存和36KB的RAM?。其技術規(guī)格和應用如下:技術規(guī)格核心處理器:ARM Cortex-M0+內核規(guī)格:32-位速度:48MHz連接能力:I2C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART外設:掉電檢…STM32C091CCU6
STM32C091CCU6微控制器?是一款基于高性能ARM Cortex-M0 32位RISC內核的設備,工作頻率高達48 MHz。它配備了高速嵌入式存儲器,包括高達256K字節(jié)的閃存和36K字節(jié)的SRAM。其特性和技術規(guī)格如下:主要特性1、高性能內核?:STM32C091CCU6采用ARM Cortex-M0 32位RISC內核,工…STM32C091CCT6
STM32C091CCT6是一款基于ARM Cortex-M0內核的32位微控制器,主頻高達48 MHz,具有高性能和低功耗的特點?。該芯片采用LQFP48封裝,體積小巧,適合多種嵌入式應用場景。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格核心處理器:ARM Cortex-M0+內核規(guī)格:32-位速度:48MHz連接能力:…STM32C091RCT6
STM32C091RCT6主流微控制器基于工作頻率可達48 MHz的高性能Arm Cortex-M0+ 32位RISC內核。該MCU結合了內存保護單元 (MPU)、高速嵌入式內存(高達36 KB的SRAM和高達256 KB的Flash程序存儲器)、DMA以及各種系統(tǒng)功能、增強型I/O和外設。其應用場景和技術參數如下:應用場景…STM32C091RCI6
STM32C091RCI6是一款基于Arm Cortex-M0+ 32位RISC核心的微控制器,其工作頻率可達48 MHz?。它具有高集成度,適用于消費者、工業(yè)和家電領域的廣泛應用,并為物聯網(IoT)解決方案做好了準備?。其主要特性和技術規(guī)格如下:主要特性1、高性能?:STM32C091RCI6基于高性能…電話咨詢:86-755-83294757
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