商品名稱:射頻開關(guān)
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:10-XFQFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
BGS14PN10 - SP4T 高線性度、大功率射頻開關(guān)
零件編號(hào):BGS14PN10
封裝:10-XFQFN
類型:射頻開關(guān) IC
詳細(xì)描述:射頻開關(guān) IC SP4T 6 GHz 50Ohm PG-TSNP-10-1
產(chǎn)品概述
BGS14PN10 是一款單極四擲 (SP4T) 高線性度、高功率射頻開關(guān),專為高達(dá) 6.0 GHz 的移動(dòng)電話應(yīng)用而優(yōu)化。這款單電源芯片集成了由兩個(gè)簡(jiǎn)單的 CMOS 或 TTL 兼容控制輸入信號(hào)驅(qū)動(dòng)的片上 CMOS 邏輯。該器件可處理高達(dá) 38 dBm 的超高傳輸信號(hào)電平,同時(shí)具有低損耗的特點(diǎn),可節(jié)省電池電量。超高線性度器件對(duì)系統(tǒng)靈敏度有重大影響。
功能概述
最大射頻功率高:38 dBm
如果射頻端口上沒有施加外部直流,則無需直流去耦元件
高 ESD 魯棒性
低諧波產(chǎn)生
高線性度
射頻 1/RF3 72 dBm IIP3
射頻 2/RF4 74 dBm IIP3
無需電源阻斷
電源電壓范圍 1.8 至 3.6V
在電源電壓范圍內(nèi)無插入損耗變化
電源電壓范圍內(nèi)線性度無變化
0.5 至 6.0 千兆赫覆蓋范圍
潛在應(yīng)用
適用于 EDGE / C2K / LTE / WCDMA / SV-LTE
移動(dòng)蜂窩 Rx/Tx 應(yīng)用
針對(duì)主通路和整個(gè)射頻前端進(jìn)行了優(yōu)化,在移動(dòng)通信中沒有任何功率限制:
DL/UL CA 和 MIMO
HPUE 26dBm 設(shè)備(高功率 Tx)
微型/微微蜂窩/蜂窩基站
測(cè)試設(shè)備
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車和太陽能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車和太陽能等多種應(yīng)用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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