BGS18MA12 射頻開關是基于 LTE、WCDMA 和 TDCDMA 的多模手機的完美解決方案。它基于英飛凌的專有技術,具有出色的射頻性能。超低插入損耗可幫助客戶實現較高的系統(tǒng)靈敏度,LTE Tx 功率覆蓋范圍和 6 GHz 頻率可實現非常廣泛的應用。它具有無直流射頻端口,只有在外部施加直流電壓時,射頻端口才需要外部直流阻斷電容器。其片上 MIPI RFFE 2.0 控制器完全符合行業(yè)標準。
功能特點
0.1 至 6 GHz 覆蓋范圍,適用于 LTE 和 LAA 應用
LTE 發(fā)射功率處理能力
超低插入損耗: 頻帶 42 時為 0.78 dB
外形小巧,1.1 毫米 x 1.9 毫米
完全兼容 MIPI 2.0 RFFE 標準
如果射頻線路上沒有施加直流,則無需去耦電容器
低諧波產生
端口間隔離度高
片上控制邏輯包括 ESD 保護
無需電源隔離
高 EMI 穩(wěn)定性
符合 RoHS 和 WEEE 規(guī)范的封裝
應用
適用于 LTE / WCDMA / TDCDMA 應用
消費類電子產品
移動設備和智能手機
電動汽車車載電池充電器 (OBC)
型號
品牌
封裝
數量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數據存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…BSZ011NE2LS5I
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ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。該產品針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,可為各種應用提供支持,實現靈活設計。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
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ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術,可滿足開關電源、電機驅動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應用需求。ISC023N03LF2S產品針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,可為各種應用提供支持,實現靈活設計…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關鍵參數:FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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