BGS13S4N9 - 寬帶射頻 SP3T 開關
零件編號:BGS13S4N9
封裝:9-XFLGA
類型:射頻開關 IC
詳細說明:射頻開關 IC 通用 SP3T 50Ohm PG-TSNP-9-3
產品概述
BGS13S4N9 - RF MOS 開關專為手機和移動應用而設計。3 個端口中的任何一個都可用作分集天線的終端,處理能力高達 30 dBm。它具有出色的 1kV ESD 穩(wěn)定性。該 SP3T 具有插入損耗低、對天線端口干擾信號的抗干擾能力強以及在終端模式下諧波生成低等特點。片上控制器集成了 CMOS 邏輯和電平轉換器,由 1.35 V 至 VDD 的控制輸入驅動。
BGS13S4N9 射頻開關采用英飛凌的專利 MOS 技術制造,具有砷化鎵的性能和傳統 CMOS 的經濟性和集成性,包括固有的更高 ESD 魯棒性。該器件尺寸非常小,僅為 1.1 x 1.1 mm2,最大高度為 0.375 mm。
功能概述
3 個高線性度 TRx 路徑,功率處理能力高達 30 dBm
外形小巧 1.1 x 1.1 mm2 x 0.375 mm
2.7GHz 時插入損耗低 0.55 dB
低諧波產生
端口間隔離度高
0.1 至 3.0 千兆赫覆蓋范圍
片上控制邏輯包括 ESD 保護
GPIO 控制接口
無需電源阻斷
高 EMI 強度
符合 RoHS 和 WEEE 規(guī)范的封裝
潛在應用
射頻 CMOS 開關專為 Edge / CDMA2000 / LTE / WCDMA 應用而設計
型號
品牌
封裝
數量
描述
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ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產的一款功率MOSFET產品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現了設計靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術,可滿足開關電源、電機驅動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術,可滿足開關電源、電機驅動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應用需求。ISC023N03LF2S產品針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,可為各種應用提供支持,實現靈活設計…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關鍵參數:FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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