商品名稱:射頻開(kāi)關(guān)
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TSLP-10
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
BGSC2341ML10E6327XTSA1 - RF 數(shù)字可調(diào)電容器 + SPDT 開(kāi)關(guān)
型號(hào):BGSC2341ML10E6327XTSA1
封裝:PG-TSLP-10
類型:射頻開(kāi)關(guān) IC
詳細(xì)描述:射頻IC 數(shù)字可調(diào)電容器,SPDT 通用型 400MHz ~ 3.8GHz MIPI 接口
產(chǎn)品概覽
BGSC2341ML10E6327XTSA1 是一款多功能集成電路 (IC),是可調(diào)阻抗匹配、天線調(diào)諧和可調(diào)濾波等射頻調(diào)諧應(yīng)用的理想之選。該集成電路集成了一個(gè) 8 態(tài)可調(diào)諧電容器和一個(gè)極低 RON 的單刀雙擲 (SPDT) 射頻開(kāi)關(guān)功能;兩者均由片上 MIPI 2.1 RFFE 數(shù)字接口控制。
功能概述
專為高線性度應(yīng)用而設(shè)計(jì)
在導(dǎo)通狀態(tài)下,每個(gè) SPDT 投擲點(diǎn)的 RON 電阻超低,僅為 0.87 Ω
高工作射頻電壓處理能力 39 V
1.8 GHz 時(shí)的調(diào)諧范圍為 0.26-2.00 pF
工作頻率 0.4 - 3.8 千兆赫
高 ESD 魯棒性
符合 MIPI 2.1 RFFE 標(biāo)準(zhǔn)的控制接口
可通過(guò) USID_SEL 引腳選擇 2 個(gè)默認(rèn) USID
電源電壓范圍 1.65 至 1.95 V
外形小巧,1.1 毫米 x 1.5 毫米
潛在應(yīng)用
- 阻抗調(diào)諧
- 天線調(diào)諧
- 電感調(diào)諧
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車和太陽(yáng)能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車和太陽(yáng)能等多種應(yīng)用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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