商品名稱:射頻開(kāi)關(guān)
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TSNP-10-1
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
BGSA12GN10E6327XTSA1 - 單刀雙擲天線調(diào)諧開(kāi)關(guān)
型號(hào):BGSA12GN10E6327XTSA1
封裝:PG-TSNP-10-1
類型:射頻開(kāi)關(guān) IC
詳細(xì)描述:射頻開(kāi)關(guān) IC 蜂窩,3G,4G SPDT 50Ohm PG-TSNP-10-1
產(chǎn)品概述
BGSA12GN10E6327XTSA1 是一款單極雙擲 (SPDT) 射頻天線調(diào)諧開(kāi)關(guān),專為支持高達(dá) 6.0 GHz 的低 COFF 應(yīng)用而優(yōu)化。這款單電源芯片集成了片上 CMOS 邏輯,由簡(jiǎn)單的單引腳 CMOS 或 TTL 兼容控制輸入信號(hào)驅(qū)動(dòng)。與砷化鎵技術(shù)不同的是,0.1 dB 壓縮點(diǎn)超過(guò)了開(kāi)關(guān)的最大輸入功率電平,因此在所有信號(hào)電平下都具有線性性能,只有在外部施加直流電壓的情況下,射頻端口才需要外部直流阻斷電容器。
功能概述
用于天線調(diào)諧開(kāi)關(guān)應(yīng)用的高線性度 SPDT
導(dǎo)通狀態(tài)下 1.6 Ω 的超低 RON
關(guān)斷狀態(tài)下 120 fF 的超低 COFF
最大射頻電壓處理能力強(qiáng)
低諧波產(chǎn)生
無(wú)需電源阻斷
電源電壓:1.65 至 3.6 V
控制電壓:1.35 至 3.3 V(控制高電平)
適用于 EDGE / C2K / LTE / WCDMA 應(yīng)用
0.1 至 6.0 GHz 覆蓋范圍
小外形尺寸 1.1 mm x 1.5 mm
400 微米焊盤間距
潛在應(yīng)用
- 阻抗調(diào)諧
- 天線調(diào)諧
- 電感調(diào)諧
- 可調(diào)諧濾波器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車和太陽(yáng)能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車和太陽(yáng)能等多種應(yīng)用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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