商品名稱:射頻開關(guān)
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:11-UFLGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
BGS14MA11E6327XTSA1 - 用于 LTE 分集、Tx 和 LAA 應(yīng)用的 MIPI 2.0 SP4T 開關(guān)
型號:BGS14MA11E6327XTSA1
封裝:11-UFLGA
類型:SP4T 射頻開關(guān)
詳細(xì)說明:射頻開關(guān) IC LTE,W-CDMA SP4T 50Ohm PG-ATSLP-11-1
產(chǎn)品概述
BGS14MA11E6327XTSA1 - SP4T 射頻開關(guān)是基于 LTE 和 WCDMA 的多模手機的完美解決方案。它基于英飛凌的專有技術(shù),具有出色的射頻性能。超低插入損耗可幫助客戶實現(xiàn)較高的系統(tǒng)靈敏度,LTE Tx 功率和 6 GHz 的覆蓋范圍可實現(xiàn)非常廣泛的應(yīng)用。它具有無直流射頻端口,只有在外部施加直流電壓時才需要在射頻端口外接直流阻斷電容器。
產(chǎn)品特性
- 0.1 至 6.0 GHz 覆蓋范圍,適用于 LTE 和 LAA 應(yīng)用
- LTE 發(fā)射功率處理能力
- 超低插入損耗: 頻段 41 為 0.3dB,LTE U/ LAA 為 0.85dB
- 外形小巧,1.15 毫米 x 1.55 毫米
- 完全兼容 MIPI 2.0 RFFE 標(biāo)準(zhǔn)
- USID 選擇引腳允許每個 MIPI RFFE 總線連接兩個設(shè)備
- 無需去耦電容器(除非在射頻線路上施加直流電壓)
潛在應(yīng)用
適用于 C2K / LTE / WCDMA 和 LAA 應(yīng)用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實現(xiàn)靈活設(shè)計。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應(yīng)用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實現(xiàn)靈活設(shè)計…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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