商品名稱:射頻開(kāi)關(guān)
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:32-PowerVFQFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
BGT24ATR11E6433XUMA1 - 硅鍺 24 GHz 收發(fā)器 MMIC
型號(hào):BGT24ATR11E6433XUMA1
封裝:32-PowerVFQFN
類型:硅鍺收發(fā)器 MMIC
詳細(xì)說(shuō)明:射頻開(kāi)關(guān) IC 通用型 50Ohm PG-VQFN-32-9
產(chǎn)品概述
BGT24ATR11E6433XUMA1 是一款用于信號(hào)發(fā)生和接收的硅鍺 MMIC,工作頻率為 24.00 至 24.25 GHz 的 24 GHz ISM 頻段。它基于一個(gè) 24 GHz 基頻壓控振蕩器??汕袚Q頻率預(yù)分頻器的輸出頻率為 1.5 GHz 和 23 kHz。
產(chǎn)品特點(diǎn)
- 24 GHz ISM 頻段收發(fā)器 MMIC
- 通過(guò) AEC-Q100 認(rèn)證
- 完全集成的低相位噪聲 VCO
- 輸出頻率為 1.5 GHz 和 23 kHz 的可切換預(yù)分頻器
- 片上功率和溫度傳感器
- 基于 Gilbert 的同調(diào)正交接收器
- 單端射頻和 LO 端子
- 低噪聲系數(shù) NFSSB:12 dB
- 高轉(zhuǎn)換增益:26 dB
- 高 1 dB 輸入壓縮點(diǎn):-12 dBm
- 單電源電壓 3.3 V
- 低功耗 500 mW
- 200 GHz 雙極 SiGe:C 技術(shù) b7hf200
- 完全 ESD 保護(hù)器件
應(yīng)用
方便、智能、安全的可穿戴設(shè)備,為您的健康和幸福提供支持。
門(mén)控
工業(yè)自動(dòng)化
LED 燈條和標(biāo)牌
智能家居和樓宇
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車和太陽(yáng)能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車和太陽(yáng)能等多種應(yīng)用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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