商品名稱:射頻開關
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:18-WFLGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
BGSX44MU18E6327XUSA1 - 4P4T 天線交叉開關,帶 MIPI RFFE 控制接口
型號:BGSX44MU18E6327XUSA1
封裝:18-WFLGA
類型:4P4T 天線CMOS開關
描述:4P4T MIPI 0.4 - 7.125 GHz 天線交叉開關
產(chǎn)品概覽
BGSX44MU18E6327XUSA1 - RF CMOS 開關專為 LTE 和 5G FR1 四天線應用而設計。這款 4P4T 交叉開關具有低插入損耗和低諧波產(chǎn)生的特點。開關通過 MIPI RFFE 控制接口進行控制。片上控制器允許 1.65 至 1.95 V 的電源電壓。該開關具有直接連接電池功能和無直流射頻端口。
功能概述
峰值功率高達 37 dBm 的高線性度
快速開關時間(最長 2 μs),適用于 5G SRS 應用
插入損耗低,端口間隔離度高,最高可達 7.125 GHz
低功耗,通過在僅 1.65 - 1.95 V 的電壓范圍內(nèi)組合 VDD 和 VIO 引腳,可使用 MIPI RFFE 電源
MIPI RFFE 2.1 控制接口
軟件和硬件可編程 USID
潛在應用
蜂窩移動設備的 4P4T 天線路由/交換
用于 5G SRS 的 4P4T 天線路由/交換
GSM、WCDMA、LTE 和 5G FR1 頻段應用
4x4 MIMO 應用
降低 SAR
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。以下是其關鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),…IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。以下是其核心特性:針對各種應用進行了優(yōu)化N溝…IPD040N03LF2S
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