商品名稱:功率 MOSFET 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IPW60R037CM8 是 600V CoolMOS? 8 功率 MOSFET 晶體管。
特點
同類最佳的 RDS(on)*A
顯著降低損耗
出色的換向堅固性
集成快速體二極管
.XT 互連
ESD 保護
優(yōu)點
功率密度更高
易于使用和快速設計
振鈴趨勢低
簡化熱管理
簡化產品組合
應用
電源和轉換器
PFC 級和 LLC 諧振轉換器
高效開關應用,例如:服務器、電信、電動汽車充電、UPS
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…AIMDQ75R060M2H
AIMDQ75R060M2H是(Infineon)推出的 CoolSiC? 系列汽車級碳化硅MOSFET ,屬于750V第二代產品,采用Q-DPAK頂側散熱封裝。以下是其核心參數(shù)與適用場景:FET 類型:N 通道技術:SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):840 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):30A(Tc)驅動電壓(最…IRFPW4468PBF
IRFPW4468PBF是(Infineon)推出的 HEXFET 功率 MOSFET ,屬于 StrongIRFET? 系列,采用 TO-247 封裝。以下是其核心參數(shù):FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):100 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):25A(Ta),195A(Tc)驅動電壓(最大 Rds On,…IAUCN08S7N016
IAUCN08S7N016 是一款采用 Infineon 領先的功率半導體技術構建的OptiMOS? 7 80V 汽車 MOSFET。該產品采用創(chuàng)新的頂部冷卻 SSO10T 5x7 mm2 SMD 封裝。IAUCN08S7N016專為滿足要求苛刻的汽車應用所需的高性能、高質量和穩(wěn)健性而設計。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術:MOSFET(…1EDI3025AS
EiceDRIVER? 柵極驅動器 1EDI3025AS 是一款專為汽車應用設計的高壓 IGBT 驅動器,采用無芯變壓器 (CT) 技術實現(xiàn) 8 kV 電氣隔離。1EDL8011
英飛凌EiceDRIVER? 1EDL8011 憑借其強大的柵極電流能力,可實現(xiàn)高側 N 溝道 MOSFET 的快速導通/關斷。電話咨詢:86-755-83294757
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