商品名稱：功率 MOSFET 晶體管
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：PG-TO263-7
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
IPF021N13NM6 是采用 PG-TO263-7 封裝的 OptiMOS? 6 135V 正常電平功率 MOSFET 晶體管。
特性
與 OptiMOS? 5 150 V 相比
導通電阻最多可降低 53
柵極閾值電壓差降低達 38
反向恢復電荷最多可降低 70
反向恢復峰值電流最多可降低 45
優(yōu)勢
降低系統(tǒng)成本
降低傳導損耗，提高輸出功率
降低電磁干擾
所需并聯(lián)更少
降低 VDS 過沖和開關損耗
更高的功率密度設計
應用
E-forkliftIPF021N13NM6
低電壓
電動滑板車
電動工具
園藝工具
不間斷電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
IMDQ75R004M2H
IMDQ75R004M2H功率器件是（Infineon）推出的 CoolSiC? MOSFET ，屬于第二代碳化硅技術產品，適用于高效電力電子設計。IMDQ75R004M2H具有以下關鍵參數(shù)：FET 類型：N 通道技術：SiCFET（碳化硅）漏源電壓（Vdss）：840 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：357A（Tc）驅動電壓（…
AIMDQ75R016M2H
AIMDQ75R016M2H是（Infineon）推出的第二代碳化硅MOSFET，具有改進的開關性能、更低的損耗和增強的熱管理。與第 1 代產品相比，開關速度提高了 25%，品質因數(shù)提高了 35%，為汽車應用提供了更高效、更緊湊、更可靠的系統(tǒng)。關鍵參數(shù)FET 類型：N 通道技術：SiCFET（碳化硅）…
AIMDQ75R025M2H
AIMDQ75R025M2H是（Infineon）推出的一款750V G2碳化硅MOSFET，具有高效率，高可靠性、能強力防止單極柵極驅動的寄生導通特性。該MOSFET在圖騰柱、ANPC、Vienna整流器和FCC硬開關拓撲中提供出色的性能。技術規(guī)格FET 類型：N 通道技術：SiCFET（碳化硅）漏源電壓（Vdss）：…
AIMDQ75R060M2H
AIMDQ75R060M2H是（Infineon）推出的 CoolSiC? 系列汽車級碳化硅MOSFET ，屬于750V第二代產品，采用Q-DPAK頂側散熱封裝。以下是其核心參數(shù)與適用場景：FET 類型：N 通道技術：SiCFET（碳化硅）漏源電壓（Vdss）：840 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：30A（Tc）驅動電壓（最…
IRFPW4468PBF
IRFPW4468PBF是（Infineon）推出的 HEXFET 功率 MOSFET ，屬于 StrongIRFET? 系列，采用 TO-247 封裝。以下是其核心參數(shù)：FET 類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：100 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：25A（Ta），195A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，…電話咨詢：86-755-83294757
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