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功率 MOSFET IQD009N06NM5SC 具有 0.9 mOhm 的低 RDS(on)，并具有出色的散熱性能，便于管理功率損耗。此外，采用雙面冷卻封裝后，耗散功率是包覆封裝的五倍。

IQD009N06NM5SC OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V 正常電平，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)。

IQD009N06NM5SC產(chǎn)品屬性

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-WHSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 445 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 900 uOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.3 V

Qg-柵極電荷: 120 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 333 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

配置: Single

下降時(shí)間: 12 ns

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFETs

上升時(shí)間: 9 ns

晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 34 ns

典型接通延遲時(shí)間: 17 ns

應(yīng)用領(lǐng)域

PC 電源低壓驅(qū)動(dòng)

低壓驅(qū)動(dòng)

電池化成

計(jì)算和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

汽車(chē)電池管理系統(tǒng) (BMS)

• 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來(lái)源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。