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SCT055TO65G3是一款650 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管，具有極低的每區(qū)域導通電阻 (RDS(on)) 以及出色的開關性能。SCT055TO65G3具有高速切換性能，適用于需要高頻切換的應用?。

應用領域

開關模式電源（SMPS）?：SCT055TO65G3適用于需要高頻切換和高能效的開關模式電源應用?。

DC-DC轉換器?：SCT055TO65G3用于直流到直流的電壓轉換器，適用于需要高效能量轉換的場合?。

技術參數(shù)

產品：SCT055TO65G3

封裝 / 箱體：TOLL-8

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：30 A

Rds On-漏源導通電阻：72 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：3 V

Qg-柵極電荷：31 nC

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 175 C

Pd-功率耗散：234 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時間：13.6 ns

封裝：Reel

封裝：Cut Tape

產品類型：SiC MOSFETS

上升時間：5 ns

典型關閉延遲時間：19.4 ns

典型接通延遲時間：9.2 ns

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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