商品名稱:ARM微控制器 - MCU
品牌:ST
年份:25+
封裝:28-UFQFPN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
STM32C051G6U6 MCU是一款基于Arm Cortex-M0+核心的32位微控制器?,主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制和家用電器等領(lǐng)域,并且適合物聯(lián)網(wǎng)(IoT)解決方案?。其特性和參數(shù)如下:
主要特性
處理器核心?:STM32C051G6U6基于32位ARM Cortex-M0+架構(gòu),其運(yùn)行頻率為48 MHz?。
內(nèi)存?:具有高達(dá)32KB的閃存和12 KB的SRAM。
電源管理?:工作電壓范圍為1.7 V至3.6 V,支持多種低功耗模式,包括睡眠、停止、待機(jī)和關(guān)斷模式?。
通信接口?:包含2個(gè)USART、定時(shí)器、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)、數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器(DAC)和通信接口?。
其他特性?:STM32C051G6U6 MCU還支持電壓檢測(cè)器、欠壓復(fù)位和可編程電壓檢測(cè)器等功能?。
關(guān)鍵參數(shù)
核心處理器:ARM? Cortex?-M0+
內(nèi)核規(guī)格:32-位
速度:48MHz
程序存儲(chǔ)容量:32KB(32K x 8)
程序存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存
EEPROM 容量:-
RAM 大?。?2K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):2V ~ 3.6V
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
封裝/外殼:28-UFQFPN
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…STGW40H120DF2
STGW40H120DF2是一種IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),屬于H系列,具有1200V的耐壓和40A的電流處理能力。?該器件采用先進(jìn)的溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),具有高效能、快速開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通損耗的特點(diǎn)。其技術(shù)規(guī)格如下:IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - …STGW30V60DF
STGW30V60DF是一款600V超高速溝槽柵場(chǎng)截止V系列IGBT,采用TO-247-3封裝,適用于需要高速開(kāi)關(guān)和高效率的應(yīng)用場(chǎng)景?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60 A電流 - 集電極脈沖 …STGW10M65DF2
STGW10M65DF2器件是一款I(lǐng)GBT,采用先進(jìn)的專有溝槽柵極場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)而成。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能和效率之間的最佳平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,正VCE(sat)溫度系數(shù)和緊密的參數(shù)分布使并聯(lián)操作更加安全。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用如下:…STGW30NC120HD
STGW30NC120HD器件是一款N溝道1200 V、30 A超快PowerMESH IGBT 晶體管。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60 A不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,20A功率 - 最大值:220 W開(kāi)關(guān)能量:1.66…電話咨詢:86-755-83294757
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