商品名稱：SDRAM?
品牌：SK hynix
年份：25+
封裝：FCBGA-96
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
H5ANAG6NCJR-XNC 是由（SK Hynix）制造的 DDR4 DRAM 內(nèi)存，工作溫度為 0 至 85°C 。它具有 16Gb 的內(nèi)存容量，組織為 1Gx16，采用符合 RoHS 標準的 BGA-96 球封裝。數(shù)據(jù)速率指定為 3200 MT/s，最大時鐘速度為 1600 MHz。
性能參數(shù)
存儲容量：16Gb
架構(gòu)：1x16
速率：3200Mbps
?工作電壓?：1.2V
?工作溫度范圍?：0°C至85°C?
?電源電壓?：1.2V?
封裝類型?：FCBGA
應(yīng)用場景
H5ANAG6NCJR-XNC適用于需要高密度內(nèi)存和大帶寬的應(yīng)用場景，如服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等。其內(nèi)部數(shù)據(jù)路徑采用流水線設(shè)計，支持8位預(yù)取，能夠?qū)崿F(xiàn)非常高的帶寬?。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
SK hynix
FBGA-200
1000
Mem-SDRAM-Lpddr4, 16Gb(2Gb), 2Chx16, 3733Mbps, FBGA-200 (15.1X10.1)mm X 1mm Max H
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H9HCNNNBKUMLHR-NMOR
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HMAA8GR7CJR4N-XN
SK Hynix HMAA8GR7CJR4N-XN 64GB DDR4-3200/PC4-25600 RDIMM 288 針 CL22 雙排 x4 ECC 寄存內(nèi)存模塊。
HMCG84MEBQA115N
概述：SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM，并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM，與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比，性能大幅提升。HMCG84MEBQA115N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細參數(shù)類型：DDR5 Module RDIMM密度：32…
HMCG84MEBQA174N
概述：SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM，并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM，與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比，性能大幅提升。HMCG84MEBQA174N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細參數(shù)類型：DDR5 Module RDIMM密度：32…
HMCG88MEBRA115N
說明：SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM，并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM，與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比，性能大幅提升。HMCG88MEBRA115N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細參數(shù)類型：DDR5 Module RDIMM密度：32…
HMCG88MEBRA113N
說明：SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM，并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM，與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比，性能大幅提升。HMCG88MEBRA113N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細參數(shù)類型：DDR5 Module RDIMM密度：32…電話咨詢：86-755-83294757
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