商品名稱(chēng):ARM微控制器 - MCU
品牌:ST
年份:24+
封裝:LQFP-48
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
STM32F091CCT7是一款基于ARM Cortex-M0內(nèi)核的32位微控制器,工作頻率高達(dá)48MHz,適合處理復(fù)雜的實(shí)時(shí)應(yīng)用。它集成了高性能的嵌入式存儲(chǔ)器,包括256KB的閃存和32KB的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)。此外,該MCU還提供了多種接口,如I2C、SPI、UART/USART、CAN、ADC和DAC等,支持多種通信協(xié)議和外部設(shè)備連接?。
產(chǎn)品屬性
核心:ARM Cortex M0
程序存儲(chǔ)器大?。?56 kB
數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit
ADC分辨率:12 bit
最大時(shí)鐘頻率:48 MHz
輸入/輸出端數(shù)量:38 I/O
數(shù)據(jù) RAM 大?。?2 kB
電源電壓-最?。? V
電源電壓-最大:3.6 V
最小工作溫度:- 40°C
最大工作溫度:+ 105°C
封裝/外殼:LQFP-48
模擬電源電壓:2 V to 3.6 V
商標(biāo):STMicroelectronics
DAC分辨率:12 bit
數(shù)據(jù) Ram 類(lèi)型:SRAM
數(shù)據(jù) ROM 大小:-
數(shù)據(jù) Rom 類(lèi)型:-
I/O 電壓:2 V to 3.6 V
接口類(lèi)型:CAN, CEC, I2C, SPI, USART
濕度敏感性:Yes
ADC通道數(shù)量:13 Channel
計(jì)時(shí)器/計(jì)數(shù)器數(shù)量:9 Timer
處理器系列:STM32
產(chǎn)品:MCUs
產(chǎn)品類(lèi)型:ARM Microcontrollers - MCU
程序存儲(chǔ)器類(lèi)型:Flash
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱(chēng)改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專(zhuān)有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…STGW40H120DF2
STGW40H120DF2是一種IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),屬于H系列,具有1200V的耐壓和40A的電流處理能力。?該器件采用先進(jìn)的溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),具有高效能、快速開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通損耗的特點(diǎn)。其技術(shù)規(guī)格如下:IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - …STGW30V60DF
STGW30V60DF是一款600V超高速溝槽柵場(chǎng)截止V系列IGBT,采用TO-247-3封裝,適用于需要高速開(kāi)關(guān)和高效率的應(yīng)用場(chǎng)景?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60 A電流 - 集電極脈沖 …STGW10M65DF2
STGW10M65DF2器件是一款I(lǐng)GBT,采用先進(jìn)的專(zhuān)有溝槽柵極場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)而成。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能和效率之間的最佳平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,正VCE(sat)溫度系數(shù)和緊密的參數(shù)分布使并聯(lián)操作更加安全。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用如下:…STGW30NC120HD
STGW30NC120HD器件是一款N溝道1200 V、30 A超快PowerMESH IGBT 晶體管。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60 A不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,20A功率 - 最大值:220 W開(kāi)關(guān)能量:1.66…電話咨詢(xún):86-755-83294757
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